데일리매거진 - 삼성전자, 업계 최초 12나노급 ′24Gb GDDR7 D램′ 개발

▲ 사진=24Gb GDDR7 D램 제품 [제공/삼성전자]

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 ‘24Gb GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램’ 개발을 완료했다.

* 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미함
* Gb(Gigabit, 기가비트)

‘24Gb GDDR7 D램’은 업계 최고 사양을 구현한 제품으로, PC, 게임 콘솔 등 기존 그래픽 D램의 응용처를 넘어 AI 워크스테이션, 데이터센터 등 고성능 제품을 필요로 하는 분야까지 다양하게 활용될 것으로 기대된다.

이번 제품은 24Gb의 고용량과 40Gbps 이상의 속도를 갖췄고, 전작 대비 △용량 △성능 △전력 효율이 모두 향상됐다.

* Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터
* 전작 ‘16Gb GDDR7 D램’

삼성전자는 이번 제품에 12나노급 미세 공정을 적용해 동일한 패키지 크기에 셀 집적도를 높였고, 전작 대비 50% 향상된 용량을 구현했다.

또한 ‘PAM3 신호 방식’을 통해 그래픽 D램 중 업계 최고 속도인 40Gbps를 구현했으며, 사용 환경에 따라 최대 42.5Gbps까지의 성능을 자랑한다.

* PAM3(Pulse-Amplitude Modulation): ‘-1’과 ‘0’ 그리고 ‘1’로 신호 체계를 구분해 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송

삼성전자는 이번 제품부터 저전력 특성이 중요한 모바일 제품에 적용되는 기술들을 도입해 전력 효율을 30% 이상 크게 개선했다.

제품 내 불필요한 전력 소모를 줄이는 ‘Clock 컨트롤 제어 기술’과 ‘전력 이원화 설계’ 등을 통해 제품의 전력 효율을 극대화했다.

* Clock 컨트롤 제어 기술: 모든 회로에 대해 동작이 필요할 때만 동작하는 방식을 적용해 전력 소모를 줄이는 기술
* 전력 이원화 설계: 저속 동작 시 외부 전압을 낮추거나 내부에서 자체적으로 낮은 전압을 만들어 Drain 인가 전압 및 전류 감소를 통해 전력 사용량을 최소화하는 설계 기법

또한 고속 동작 시에도 누설 전류를 최소화하는 ‘파워 게이팅 설계 기법’을 적용해 제품의 동작 안정성도 향상됐다.

* 파워 게이팅 설계 기법(Power gating scheme): 누설 전류가 큰 영역에 한해 전류를 제어하는 스위치를 추가하는 설계 기법

삼성전자 메모리사업부 상품기획실 배용철 부사장은 “삼성전자는 지난해 7월 ‘16Gb GDDR7 D램’을 개발한 데 이어 이번 제품도 업계 최초로 개발에 성공해 그래픽 D램 시장에서의 기술 리더십을 공고히 했다”며 “AI 시장의 빠른 성장에 발맞춰 고용량·고성능 제품을 지속 선보이며 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

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