데일리매거진 - [IT-줌in] 삼성전자, 美에 차세대 반도체 3나노급 칩 제작위한 공장 설립 물색중… 美 텍사스주에 전력·수도요금 등 추가 세금 감면 요청

-텍사스주에 수도세 감면 등 추가적인 세금 공제 요청하는 수정 제안서 제출
-차세대 반도체 3나노 고급 칩 제작 할 수 있는 텍사스 오스틴에?

▲사진=삼성전자가 2015년 1월 모바일용 ‘128GB(기가바이트) eUFS 2.0’ 양산으로 UFS 시장을 창출한 후 2016년 2월 ‘256GB eUFS 2.0’, 2017년 11월 ‘512GB eUFS 2.1’을 발표했고, 1년만인 2019년 세계 최초 ‘1TB eUFS’ 저장용량을 두배로 늘린 테라바이트 시대를 열었다.  [제공/삼성전자] ⓒ데일리매거진DB

 지난 1월 삼성전자는 미국에서 가장 진보된 로직 칩메이킹 공장을 건설하는 데 100억 달러 이상을 지출하는 방안을 고려하고 있으며, 이는 미국의 고객을 더 많이 유치하고 업계 선두주자인 대만 반도체 제조(주)를 따라잡는 데 도움이 될 것이라고 기대하고 있다는 보도가 나오면서 삼성전자의 미국 진출이 기정 사실화 된 가운데  텍사스주에서 수도세 감면 등 추가적인 세금 공제를 요청하는 수정 제안서공개 됐다. 삼성전자가 찾고있는 곳은 세계 최대의 메모리 칩과 스마트 폰 제조업체는 미래에 3 나노 미터로 고급 칩을 제작 할 수있는 텍사스 오스틴인 것으로 알려졌다.

 

이렇듯 삼성전자가 약100 억 달러 이상을 투자 할 반도체 공장 증설 투자를 놓고 미국 텍사스주 정부와 세금 감면 협상을 벌이고 있는 가운데, 삼성전자가 텍사스주에 수도세 감면 등 추가적인 세금 공제를 요청하는 수정 제안서를 제출한 것으로 전해졌다.

 

13일자 <매일경제> 단독 보도에 따르면, 삼성전자가 텍사스주에 반도체 신규공장을 지을 경우 유발되는 경제효과에 따른 세금 감면을 요구한데 이어 전력·수도요금 등의 추가 세금 감면을 촉구했다고 보도했다.

▲사진=미국 조지아주(州) 브라이언 켐프 주지사가 조 바이든 대통령에게 SK이노베이션 배터리 수입금지 조처 번복을 요청하고자 보낸 서한

 해당 보도에서 삼성전자는 지난해 말부터 170억 달러(약 19조원) 규모의 반도체 파운드리(위탁생산) 공장 증설 투자를 두고 텍사스주와 재산세 등 20년간 8억 550만 달러(약 9000억원) 상당의 세금 감면 여부를 놓고 협상을 진행하고 있으며 텍사스주는 대기업 유치를 위해 최대 10년 간 부동산 및 재산 증가분에 대한 전부 또는 일부를 면세하는 세제감면책(AVL)을 제공하는데, 삼성전자는 이보다 두 배 더 연장된 감면 보상을 요청한 것으로, 신규 반도체 공장 설립으로 유발되는 경제효과를 앞세우고 있다.

 

다만, 삼성전자 측이 의도 한 대로 최근에 협상이 좀처럼 속도를 내지 못하고 진전되지 않으면서 삼성전자는 뉴욕과 애리조나 외에도 한국도 새 후보지도 함께 검토하고 있는 것으로 알려졌다.

 

이와 관련해 삼성전자는 최근 2차 제안서를 텍사스주에 제출했는데, 새롭게 전력·수도요금 등 유틸리티 비용 감면 및 기타 비현금성 지원 등을 추가했다고 매일경제는 전했다.

 

삼성전자는 지난달 텍사스주를 강타한 이상한파로 전력·수도 공급망이 끊기면서 오스틴 반도체 공장을 강제 셧다운시키는 초유의 위기를 맞았다. 오스틴 공장은 셧다운 사태 한 달을 맞았지만 아직도 공장 정상화가 안 되고 있다.

 

이 때문에 삼성전자는 자칫 오스틴공장에서 평균 분기 매출인 약 1조원의 손실을 예고하고 있다. 이번 2차 제안서에 유틸리티 세율 완화를 포함한데에는 이번 셧다운 사태에 대한 삼성의 위기와 불안감이 반영된 것으로 풀이된다.

 

삼성 오스틴 공장 인근에 위치한 다른 반도체 기업인 NXP는 오는 15일까지 초기 재가동 점검을 마치고 이번 주 중반부터 완전 정상가동에 들어가는 것으로 전해졌다. 다만, 삼성전자의 경우 모든 인력과 자원을 투입해도 4월 초부터 완전한 정상가동을 기대할 수 있는 상황이다.

 

삼성전자는 텍사스주가 세금감면 요청을 수용하지 않을 경우 뉴욕과 애리조나 등으로의 후보지 변경 검토 및 국내 증설 방안도 배제하지 않는 것으로 알려졌다.

 

한편 삼성전자는 세계 최대의 메모리 칩과 스마트 폰 제조업체는 미래에 3 나노 미터로 고급 칩을 제작 할 수 있는 시설로 텍사스 오스틴에 있는 시설을 찾기 위해 논의 중 이라고 삼성전자 관계자들이 전했다. 이번 증설 계획은 예정으로 계획이 변경될 수도 있지만 지금 까지의 내용으로는 2021년인 올해 안에 건설을 시작해 오는 2022년부터 주요 장비를 설치한다는 목표라고 전했다.

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